[Uncategorized] IGBT Modules

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제품 세부 사항

Main Product

 

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

V-Series, 6th Generation Field-Stop
U/U4 Series, 5th Generation Field-Stop
S-Series, 4th Generation NPT

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ConfigurationSeries
Transistor ConfigurationSeries
Maximum Continuous Collector Current100 A
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Channel TypeN
Mounting TypePanel Mount
Package TypeM263
Pin Count7
Maximum Power Dissipation555 W
Dimensions94 x 34 x 30mm
Height30mm
Length94mm
Maximum Operating Temperature+150 °C
Width34mm

 

 

1923년 설립된 이래로 후지전자는 산업 및 사회 기반시설 분야에서 전 세계에 폭넓게 기여하기 위해 에너지 기술을 혁신해 왔다. 이제, 전례 없는 인구 성장과 산업화의 급속한 발전으로 세계는 에너지와 환경 문제에 직면하고 있다. 기술과 경험을 바탕으로 후지전기는 에너지 및 환경기술의 혁신을 추구하고, 에너지를 안정적이고 최대의 효율성으로 사용할 수 있는 고부가가치 친환경 제품과 시스템을 지속적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다. 우리는 또한 전세계에 에너지와 환경 관련 사업을 확장하고, 끊임없이 변화하는 자연 환경과 조화를 이루며, 책임 있고 지속 가능한 사회의 실현에 기여할 것이다. "열성적이고 야심차고 민감하다"는 기업 슬로건을 마음에 새기고 글로벌 비즈니스 확대와 기업으로서의 지속적인 성장을 목표로 다양한 개인 직원들로 이루어진 팀들의 종합적인 힘을 활용하겠다.